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  • SMA-01型形狀記憶合金特性測(cè)試系統(tǒng)
    SMA-01型形狀記憶合金特性測(cè)試系統(tǒng)

    SMA-01型形狀記憶合金特性測(cè)試系統(tǒng)是一款高精度,觸摸屏控制的測(cè)試儀,采用精密步進(jìn)電機(jī)控制拉力,位移,高精度的位移、應(yīng)力測(cè)量,可以實(shí)時(shí)顯示電阻、溫度、位移、力值并存儲(chǔ)。該設(shè)備目前已逐步應(yīng)用于航空航天飛行器、空間結(jié)構(gòu)平臺(tái)、機(jī)器人、核反應(yīng)堆、建筑及橋梁結(jié)構(gòu)、海洋結(jié)構(gòu)等方面,以實(shí)現(xiàn)機(jī)構(gòu)的主被動(dòng)變形控制、振動(dòng)控制及在線監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)內(nèi)部的應(yīng)力、應(yīng)變、溫度、損傷等狀況。是目前科研和前沿領(lǐng)域的重要設(shè)備。

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):瀏覽量:1574
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  • HTRT-1000型導(dǎo)電材料高溫電阻率測(cè)試儀
    HTRT-1000型導(dǎo)電材料高溫電阻率測(cè)試儀

    電阻率表征技術(shù)是典型的金屬、合金相變行為研究手段,比如在鋼中的碳運(yùn)動(dòng)行為分析、或是合金析出動(dòng)力學(xué)研究、以及形狀記憶合金的預(yù)相變行為表征的方面。電阻率對(duì)這些相變行為則非常敏感,應(yīng)用電阻率手段研究合金析出動(dòng)力學(xué)行為也是非常重要的手段,HTRT-1000型導(dǎo)電材料高溫電阻率測(cè)試儀是一種可以對(duì)合金時(shí)效析出過(guò)程全時(shí)段實(shí)現(xiàn)監(jiān)控的手段。

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  • GWYDR-500型高溫高壓電容測(cè)試系統(tǒng)
    GWYDR-500型高溫高壓電容測(cè)試系統(tǒng)

    GWYDR-500型高溫高壓電容測(cè)試系統(tǒng)是一款專(zhuān)為實(shí)驗(yàn)室研制的高精度高溫高壓壓電容測(cè)試系統(tǒng),突破了傳統(tǒng)的測(cè)量方式,采用變頻電源技術(shù),利用單片機(jī)和現(xiàn)代化電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運(yùn)算;達(dá)到抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試速度快、精度高、全自動(dòng)數(shù)字化、操作簡(jiǎn)便;廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備及相關(guān)絕緣材料的介損和介電常數(shù)的測(cè)量。

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  • HTCAS-300型高溫超導(dǎo)材料交流磁化率測(cè)量?jī)x
    HTCAS-300型高溫超導(dǎo)材料交流磁化率測(cè)量?jī)x

    HTCAS-300型高溫超導(dǎo)材料交流磁化率測(cè)量?jī)x

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):HTCAS-300瀏覽量:1984
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  • GWTF-300高溫鐵電材料性能測(cè)試系統(tǒng)
    GWTF-300高溫鐵電材料性能測(cè)試系統(tǒng)

    GWTF-300高溫鐵電材料性能測(cè)試系統(tǒng)是一套建立在高溫高壓下的鐵電測(cè)量系統(tǒng),旨在針對(duì)一些特殊的要求材料需要在高溫下測(cè)量而研發(fā)的一套鐵電測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅僅在溫度上將實(shí)現(xiàn)了高溫測(cè)試,而且在電壓和頻率上進(jìn)行了提高,對(duì)我們的鐵電材料研究和測(cè)試帶來(lái)更加重要的幫助。該系統(tǒng)可以測(cè)量鐵電材料的電滯回線,飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑場(chǎng)Ec、漏電流、疲勞、保持、I-V和開(kāi)關(guān)特性等性能的測(cè)試。

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):GWTF-300瀏覽量:1804
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  • GWST-1000高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜
    GWST-1000高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜

    GWST-1000型高溫四探針綜合測(cè)試系統(tǒng)(包含薄膜,塊體功能)是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能,該系統(tǒng)可以*實(shí)現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子層的方塊電阻及測(cè)量其他方塊電阻。

    更新時(shí)間:2025-04-21型號(hào):GWST-1000瀏覽量:1993
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